Показать сообщение отдельно
Старый 24.03.2016, 19:10   #17 (Ссылка на пост)
VoVaN
Si vis pacem, para bellum
 
Аватар для VoVaN
Пол:
 
Активность Longevity
3/20 16/20
Today Сообщения
0/5 ssss15341
Адрес: Херсон
Благодарил(а): 9,965
Благодарили 31,504 раз в 8,875 постах
Галерея: 0
Вес репутации: 345 VoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторы
VoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторыVoVaN скоро в модераторы
Цитата:
Сообщение от Lukas Посмотреть сообщение
Я так понимаю, что гарантированных. То есть пообещали миллион, а она и миллиард может прослужить(но минимум миллион при соблюдении рекомендаций).
Или она каким-то образом физически изнашивается(допустим как светодиоды)?
Да и да.
Изнашивается физически. Но повторяемость техпроцесса производства не достаточна чтобы написать "ячейка №864 выдержит 1586582 циклов записи", поэтому приводится приблизительное значение, которое как бы гарантировано технологией.
Не стесняйся искать информацию в самом доступном месте.
Цитата:
Одна из причин деградации — невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Дело в том, что запись и стирание производятся над множеством ячеек одновременно — это неотъемлемое свойство технологии флеш-памяти. Автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке или по средней величине. Постепенно заряд отдельных ячеек рассогласовывается и в некоторый момент выходит за допустимые границы, которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи и воспринять устройство чтения. Понятно, что на ресурс влияет степень идентичности ячеек. Одно из следствий этого — с уменьшением топологических норм полупроводниковой технологии создавать идентичные элементы все труднее, поэтому вопрос ресурса записи становится все острее.

Другая причина — взаимная диффузия атомов изолирующих и проводящих областей полупроводниковой структуры, ускоренная градиентом электрического поля в области кармана и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. Это приводит к размыванию границ и ухудшению качества изолятора, уменьшению времени хранения заряда.
Кстати физически изнашиваются любые полупроводниковые компоненты, внезапно.
__________________
У світі багато брудного й заразного,
Але той хто хоче - лишається чистим.
VoVaN вне форума  
Ответить с цитированием
Эти 2 пользователей сказали Спасибо VoVaN за хороший пост:
Lukas (24.03.2016), декодер (28.03.2016)